IGT40R070D1E8220 – новые 400 В GaN транзисторы Infineon
Компания Infineon представила новые 400 В галлий-нитридные HEMT-транзисторы (транзисторы с высокой подвижностью электронов) серии CoolGaN, выполненные по технологии и работающие в режиме Enhancement mode (e-mode). Новые транзисторы выпущены как продолжение представленного ранее семейства 600 В и являются на текущий момент единственным 400 В решением среди изделий данного типа. IGT40R070D1E8220 имеют на борту встроенный внутренний диод (body diode) с нулевым зарядом обратного восстановления (Qrr) и оптимизированы в первую очередь для работы с аудиоусилителями класса D.
Особенности:
- Напряжение «сток-исток»: 400 В;
- Канальное сопротивление Rds(on) = 55 мОм при 25°С (тип. значение);
- Средний ток стока Id = 31 А при 25°С;
- Нормально закрытые GaN-транзисторы;
- Оптимизация для работы с усилителями класса D;
- Высокая скорость переключения, низкий уровень шума;
- Нулевой заряд обратного восстановления (Qrr);
- Малый заряд затвора, низкая выходная емкость.
Области применения:
- Аудиоусилители класса D;
- Специализированные источники питания.
НОВОСТИ
Смотреть все новости
Новая модель от Mini-Circuits: Широкополосный датчик средней и максимальной мощности с частотой дискретизации 80 млн выборок в секунду
Датчик мощности PWR-18PWHS-RC от Mini-Circuits предназначен для работы в диапазоне от 0,05 до 18 ГГц при частоте дискретизации 80 млн выборок в секунду, он обеспечивает лучший по отрасли минимальный диапазон измерений
Дата: 18/04/2025
Модульные испытательные комплексы
Модульные решения для проведения испытаний от компании Mini-Circuits серий RCM, ZTM и ZTM2 подарят свободу конфигураций
Дата: 08/04/2025
ВАКАНСИИ
Менеджер по продажам электронных компонентов
г. Зеленоград, полная занятость, опыт работы от 2х лет